于美国旧金山举行的 IDF 论坛进入第二天，其中一个主要话题是行动互联网装置 (Mobile Internet Device; MID) 的未来发展，据 Intel 资深副总裁暨微型移动装置事业群总经理 Anand Chandrasekher 表示， Intel 正在努力将 MID 装置的电力需求与缩减体积大幅减少，未来目标将是取代 BlackBerry 及 I-Phone ，带来完全网路通迅体验。

据 Anand Chandresekher 指出，消费者要求要求能随时随地享有完全的网际网路连线能力，将完整的网路使用经验，透过无线方式传送到口袋中，因此 Intel 将会在 2008 年上半年，推出完全针对 MID 及 UMPC(Ultra Moible PC) 而计的平台，代号为「 Menlow 」。

据了解，全新的「 Menlow 」平台将会是上代 UMPC 平台的待机耗电量的 1/10 ，令可用性大幅升，处理器採用了 45 奈米 High-K 材料、金属栅极低能耗微架构的 Silverthorne 处理器，及全新的「 Poulsbo 」单晶片组设计，可以安装到 74mm x 143mm 大小的主机板，结合 Wi-Fi 、 3G 和 WiMAX 的标准化通信功能，令互联网真正放到口袋里。

Intel 在美国旧美山举行 IDF 论坛上宣佈将于 11 月正式推出业内首款 45 奈米处理器，採用革命性 High -k 金属栅极电晶体技术的「 Penryn 」系列。此外， Intel 还首次展示下一代微架构「 Nehalem 」运作实物，是 Intel 首款内建记忆体控制器及支援 QuickPath 的处理器。

据 Intel 总裁兼 CEO Paul Otellini 表示， Intel 「 Tick-Tock 」策略在第一年推出新一代的硅制程技术，第二年则会推出新的微处理器架构，如此交替进行每年都有创新，这也加快了整个行业创新的步伐。全球首个实现批量生产的 45 奈米 Penryn 处理器将会于 11 月上市，暂定明年在所有细分市场推出 15 款全新的 45 奈米处理器，包括了 UMPC 用的「 Silverthorne 」，令整个 45 奈米产品线拥有不少的尺寸大小、功耗低和性能高等特性，将可以满足从手持互联网电脑到高端伺服器的广泛计算需求。

此外， Paul Otellini 还宣佈，将在 2008 年底开始， Intel 45 奈米处理器和 65 奈米晶片组将导入无卤封装技术 (halogen-free packaging) ，将使英特尔 45 奈米处理器不仅能效更高而且更加环保，各多的资源将会在 12 月举行的 International Electron Devices Meeting 中作出详细解说。

Intel 总裁兼 CEO Paul Otellini 于旧金山 IDF 论坛上宣佈， Intel 在 32 奈米制程上取得了重大突破，并在现场展示了业内第一款 32 奈米晶片，将超过四百万个电晶体集成在仅有小数点大小的面积内， Intel 预期 32 奈米将于 2009 年下半年开始量产。

据 Paul Otellini 表示， Intel 成功打造第一款使用下一代 32 奈米制程技术製造的 300 毫米晶圆，这些先进测试晶片的成功开发标志着英特尔在下一代 32 奈米制程技术规模製造方面取得的重大成就，并带来最先进的製造技术，实现业内持续领先

据了解， Intel 在大会所展示的 32 奈米测试晶片，是逻辑和静态随机存取记忆体（ SRAM ），集成电晶体数量超过 19 亿个，使用英特尔第二代高 -k 与金属栅极电晶体技术，每个记忆位元的晶格面积为 0.182 平方微米，整体裸晶面积为 118 平方毫米，总记忆容量达 291Mbits ，内拥有 PROM 阵列、高速暂存器档案（暂存器集合群）、高速 I/O 电路、高频相锁迴路与时脉电路，最底端则是离散、分离式的测试结构，容纳了超过 10 亿个电晶体。

Intel 在美国旧金山举行首日的 IDF 论坛上，宣佈与业界一起携手组建 USB 3.0 新标准，并成立推广组织，为下一代速度提升达 10 倍的 USB 互联技术作出准备。据了解， USB 3.0 规格是由 Intel 、 HP 、 NEC 、 NXP 半导体以及德州仪器等公司共同开发的，主要应用于个人电脑、消费及移动类产品的快速同步即时传输。

据 Intel 高级副总裁兼数位企业事业部总经理 Patrick Gelsinger 表示， Intel 在 I/O 技术领域也同样处于领先地位，由 Intel 提倡的 USB 随插即用传送介面，採用 USB 2.0 技术的产品出货量已经突破 62 亿件，单去年已的出货量已达 21 亿件，但随着数位媒体的日益普及以及传输档的不断增大，更高速快速同步即时传输已经成为必要的性能需求，在旧有的 USB 2.0 将感到吃力下， Intel 计划与业界共同组建 USB 3.0 新标准。

Intel 高级副总裁兼数位企业事业部总经理 Patrick Gelsinger 手持 USB 3.0 Cable

Intel 美国 IDF 论坛将于 9 月 18 至 20 日于美国旧金山举行，在大会前夕 Intel 特别为媒体及分析师举行了技术研发简报会，发表硅光研究与软体解决方案的相关简介，其中最值注意的议题包括成功研发出 40 Gbps 的硅光侦测器 (Silicon Photo-detector) 及可实作软体交换式记忆体技术。

IDF 大会前一天， Intel 习惯举行称「 Day Zero 」的技术研发简报会，此日重点议题是 Intel 在硅光技术上最得到重大突破，据 Intel 院士暨光技术实验室总监 Mario Pannicia 博士表示， Intel 在 7 月份成功研发出资料编码容量可达 40 Gbps 的硅雷射模组 (silicon laser modulator) 后，再成功把光侦测器速度提升至同样提升至 40 Gbps 速度，可侦测速度超过每秒 400 亿位元的雷射光讯号 (laser light signal) 。

据 Mario Pannicia 博士指出，单以硅晶体制作的硅光侦测器 (silicon photo-detector) ，在速度并无法配合编码容量可达 40 Gbps 的硅雷射模组 (silicon laser modulator) ，成为硅光技术的瓶颈，为了解决以上问题， Intel 成功以硅与锗元素为基础 (silicon and germanium based) 制作出全新的光侦测器，锗元素拥有对光波有对高速超敏感度表现，加上与 CMOS 相容，因此成为了新一代光侦测器的最佳配合。